產品詳情
高頻感應加熱機的主要途為，金屬熱處理 金屬淬火 金屬回火金屬透熱 金屬釬焊 銀焊 銅焊 金屬熱 型 金屬熔煉 金屬埋植塑料等
高頻感應加熱機是目前對金屬 非金屬材料加熱效率 速度快 低耗節(jié)能環(huán)保型感應加熱設備 高頻機全稱 高頻感應加熱機 又名高頻加熱機
高頻感應加熱設備 高頻感應加熱裝置 高頻加熱電源 高頻電源 高頻焊接機 高周波感應加熱機 高周波感應加熱器 (焊接器)等 另外還有中頻感應加熱設備
超音頻感應加熱設備等 應用范圍十分廣泛。
感應加熱是利用導體在高頻磁場作用下產生的感應電流(渦流損耗、以及導體內磁場的作用磁滯損耗引起導體自身發(fā)熱而進行加熱的。感應加熱系統(tǒng)的構成感應加熱系統(tǒng)由高頻電源(高頻發(fā)生器)、導線、變壓器、感應器組成。
其工作步驟：
①由高頻電源把普通電源( 220v/50hz)變成高壓高頻低電流輸出，(其頻率的高低根據(jù)加熱對象而定，就其包材而言，一般頻率應在480kHZ左右。)
②通過變壓器把高壓、高頻低電流變成低壓高頻大電流。
③感應器通過低壓高頻大電流后在感應器周圍形成較強的高頻磁場。一般電流越大.磁場強度越高。
全晶加熱設備
高頻感應加熱設備在我省已得到廣泛應用，設各頻率范圍在20}}-450 kHz,高頻功率最大可達400 kW。我省的高頻感應加熱設備主要應用于金屬熱處理、’淬火、透熱、熔煉、釬焊、直縫鋼管焊接、電真空器件去氣加熱、半 導體材料煉制、塑料熱合、烘烤和提純等。現(xiàn)在我省使用的高頻感應加熱設備都是以大功率真空管(發(fā)射電子管)為核心構成單級自激振蕩器，把高壓直流電能量轉換成高頻交流電能量，它們的電子管板極轉換效率一般在75環(huán)左右，設備的整機總效率一般在50絨以下，水和電能的消耗非常大。自70年代中期后，對高頻設備也進行了
系列改進
（1）用節(jié)能型牡鎢煙絲電子管代替老式純鎢燈絲系列電子管，如FV-911代替FV-433 } FV-431,FV-89F管等。
（2）采用高壓硅堆整流代替充汞閘流管整流。
（3）采用大功率雙向可控硅結合微機調壓代替原閘流管調壓。
（4）根據(jù)各自工藝條件重新更改振蕩回路，選擇合理的振蕩頻率。這樣，經過一系列改造后，使我省的高頻設備整機總電效率有一定的提高，在節(jié)能方面有一定的效果，但由于振蕩電子管這個耗電最大的器件未能改掉，所以在
節(jié)能方面，并不是特別顯著。
全晶體蒼高頻感應加熱設備電子技術的發(fā)展，可謂日新月異。80年代初，日本首先改進半導體生產工藝，開發(fā)生產出場控電力電子器件—大功率靜電感應晶體管(SIT ) ,并設計制成換流橋式的，把直流電能量轉換成高頻電能量的全晶體管化高頻感應加熱設備，隨后美國、西德等發(fā)達國家也迅速研制，使之很快就商品化了。
特點編輯
目前，靜電感應晶體管<SIT)的單管功耗有1kW和3kW級的電力電子器件，供組裝高頻逆變設備.
全晶體管高頻感應加熱設備主電路由靜電感應晶體管SIT組裝的高頻感應加熱設備主回路如附圖所示，主電路由3部份組成:
(1)直流電源部份:該部份是把工頻三相交流電轉換為直流電，并控制下面幾部份。該部份主要由三相晶閘管(SCR)可調電路和直流電抗器La與電解電容Ca組成的直流濾波器組成，調整三相晶閘管整流電路的直流輸出電壓，可調節(jié)該設備的輸出功率。輸入電壓為工頻3}p380V，最大直流電壓可達500 V以上，輸出直流可以100~100%連續(xù)可調。
2)逆變部份:該部份把直流交換為高頻交流，并控制后面部份，這部份由電壓型單相全橋電路構成，使用1kW或3kW級功耗的SIT作為逆變橋的開關器件，使用同一級功耗的SIT器件組成電路時，設備的功率越大，頻率越高，每一橋臂上并聯(lián)的SIT器件愈多;R C。和D.為緩沖電路，當SIT開始關斷而產生浪涌電壓，超過這些電路中的直
流電壓時，二級管D，導通，而電容器C。吸收該浪涌能量，使逆變橋中的SIT器件安全運行。SIT元件的導通或關斷是由設備上所配備的微機和專用程序控制觸發(fā)信號，控制其導通或關斷。
(3)負載回路部份:該部份的功能是把高頻功率輸向被加熱的金屬工件上，負載回路是由諧振回路、電流互感器和加熱線圈組成，該電路中的串聯(lián)諧振回路構成了電壓型逆變電路，電容器CT和電感LT兩端各產生幾干伏以上的高頻電壓。高頻變流器次級側通常做成單匝，聯(lián)接著加熱線圈L}，巨大的高頻電流在L。周圍所產生，高頻磁通使金屬工件迅速急劇發(fā)熱。
全晶體管化高頻與電子管式高頻比較
全晶體管化高頻感應加熱設備在如下幾 個方面優(yōu)于電子管式高頻感應加熱設備。
工作模式得到徹底改變
電子管高頻感應加熱設備需將工頻經高壓整流器件變換成相應的直流高壓才能供給電子管工作，電子管
板極內阻天，有大量功率損耗在板極上發(fā)熱，而且需要及時加水冷卻，同時還需把一部份功率反饋到柵極，并且要較大的燈絲加熱功率，這樣就有大量的電能損耗在轉換之中。而晶體管高頻中的SIT電力電子器件，只需較小的驅動功率來控制較大功率換流的產生，SIT元件正向導通壓降很小，損耗不大，并且采用直流500 V的低壓工作狀態(tài)。電子管板極轉換效率最高為750o,SIT電力電子器件為9200;全晶體管高頻省去了高壓整流變壓器、高壓硅堆;如果多管并用，能使熱量分散，只需加少量的水便可，30kW以下小功率高頻可減去水冷卻，晶體管高頻整機總效率比電子管高頻要高20000
能源節(jié)約編輯
電子管高頻電壓轉換次數(shù)多，電壓變化大，而全晶體管高頻電壓變化不大，在幾百伏內變動，不需多次變換電能，所以全晶體管高頻比同功率電子管高頻節(jié)電3000.節(jié)水83沁，如輸出為80 kW級(FV-911S)電子管高頻，振蕩工作時輸入功率為158 kW，用水3 1/s，而同樣的輸出功為80 kW的全晶體管高頻，振蕩工作時，輸入功率只需113 kW ,用水。. 5 1/s，電子管還另需消耗2. 2 kW的燈絲加熱功率。
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應用范圍。
IGBT原理編輯
IGBT的轉移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT處于關斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分漏極電流范圍內，Id與Ugs呈線性關系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT處于導通態(tài)時，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓 Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh式中 Uj1 —— JI 結的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV 。Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降。Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流 Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。
由于N+區(qū)存在電導調制效應，所以IGBT的通態(tài)壓降小，耐壓1000V 的IGBT通態(tài)壓降為2～3V 。 IGBT處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。
