產(chǎn)品詳情
提供oem，德國(guó)進(jìn)口霍沃德HWPC1智能工業(yè)級(jí)單晶硅壓力變送器是HOWD表采用世界上最先進(jìn)的單晶硅壓力傳感器技術(shù)與專(zhuān)利封裝工藝，精心研制出的一款國(guó)際領(lǐng)先技術(shù)的超高性能壓力變送器。單晶硅壓力傳感器位于金屬本體最頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離；玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線實(shí)現(xiàn)了與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力。這些獨(dú)創(chuàng)的單晶硅壓力傳感器封裝技術(shù)確保了HWPC1單晶硅壓力變送器可從容應(yīng)對(duì)極端的化學(xué)場(chǎng)合和機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備極強(qiáng)的抗電磁干擾能力，足以應(yīng)對(duì)最為苛刻的工業(yè)環(huán)境應(yīng)用，是名副其實(shí)的隱形儀表。
主要參數(shù) 應(yīng)用場(chǎng)合
測(cè)量介質(zhì)
壓力類(lèi)型 表壓
量程范圍 1k Pa-a，詳見(jiàn)選型表 40MP
輸出信號(hào) 4-20mA、4-20mA+HART及其它
參考精度
±0.075%量程上限，可選±00.5%量程上限，
詳見(jiàn)規(guī)格參數(shù)
電源影響
當(dāng)供電電壓在10.5/16.5-55VDC內(nèi)變化， 其零點(diǎn)和量程的變化應(yīng)不超過(guò) ±0.005%量程上限/V
安裝位置影響
任意位置安裝 最大不超過(guò) ， 400Pa可通過(guò)清零功能校正
振動(dòng)影響
按 / GB T1827./ 3 IEC61298-3測(cè)試，<0 1. %量程上限
輸出信號(hào)
二線制4-20mA，用戶(hù)可選線性輸出或平方根輸出，數(shù)字過(guò)程變量疊加于4-20mA信號(hào)上，適用于任何符合HART協(xié)議的主機(jī)
環(huán)境溫度影響（典型值）
在-2 8 0-0℃范圍內(nèi)總影響量 ±（0.1+0.15TD）%量程上限
絕緣電阻
≥20MΩ@參考條件下，100VDC
性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及基準(zhǔn)條件
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：GB/T28474/IEC60770；基準(zhǔn)條件：從零點(diǎn)開(kāi)始的量程；硅油充液，316L不銹鋼隔離膜片，4-20mA模擬輸出，端基微調(diào)至設(shè)定值
性能指標(biāo)
總體性能包括并不限于【參考精度】、【環(huán)境溫度影響】、和其它影響的綜合誤差
典型精度：±0. %量程上限 075
年穩(wěn)定性：±0.2%量程上限/5年
參考精度
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試基準(zhǔn)條件，包括線性（ ）、遲滯、重復(fù) BFSL性。校準(zhǔn)溫度：20℃±5℃
線性輸出精度
TD≤10（注1）±0.075 %量程 上限
10
標(biāo)稱(chēng)量程：6kPa40kPa、250kPa1MPa、3MPa10MPa、40MPa10
注 ： （ 1 TD Turn down）是指量比，TD=URL/｜URV-LRV｜
快速詢(xún)價(jià)：18640028367羅
主要參數(shù) 應(yīng)用場(chǎng)合
測(cè)量介質(zhì)
壓力類(lèi)型 表壓
量程范圍 1k Pa-a，詳見(jiàn)選型表 40MP
輸出信號(hào) 4-20mA、4-20mA+HART及其它
參考精度
±0.075%量程上限，可選±00.5%量程上限，
詳見(jiàn)規(guī)格參數(shù)
電源影響
當(dāng)供電電壓在10.5/16.5-55VDC內(nèi)變化， 其零點(diǎn)和量程的變化應(yīng)不超過(guò) ±0.005%量程上限/V
安裝位置影響
任意位置安裝 最大不超過(guò) ， 400Pa可通過(guò)清零功能校正
振動(dòng)影響
按 / GB T1827./ 3 IEC61298-3測(cè)試，<0 1. %量程上限
輸出信號(hào)
二線制4-20mA，用戶(hù)可選線性輸出或平方根輸出，數(shù)字過(guò)程變量疊加于4-20mA信號(hào)上，適用于任何符合HART協(xié)議的主機(jī)
環(huán)境溫度影響（典型值）
在-2 8 0-0℃范圍內(nèi)總影響量 ±（0.1+0.15TD）%量程上限
絕緣電阻
≥20MΩ@參考條件下，100VDC
性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及基準(zhǔn)條件
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：GB/T28474/IEC60770；基準(zhǔn)條件：從零點(diǎn)開(kāi)始的量程；硅油充液，316L不銹鋼隔離膜片，4-20mA模擬輸出，端基微調(diào)至設(shè)定值
性能指標(biāo)
總體性能包括并不限于【參考精度】、【環(huán)境溫度影響】、和其它影響的綜合誤差
典型精度：±0. %量程上限 075
年穩(wěn)定性：±0.2%量程上限/5年
參考精度
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試基準(zhǔn)條件，包括線性（ ）、遲滯、重復(fù) BFSL性。校準(zhǔn)溫度：20℃±5℃
線性輸出精度
TD≤10（注1）±0.075 %量程 上限
10
標(biāo)稱(chēng)量程：6kPa40kPa、250kPa1MPa、3MPa10MPa、40MPa10
注 ： （ 1 TD Turn down）是指量比，TD=URL/｜URV-LRV｜
快速詢(xún)價(jià)：18640028367羅
