AP2N10 NMOS SOT23 場(chǎng)效應(yīng)管 N道溝MOS

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第3年

深圳市世微半導(dǎo)體有限公司

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詳細(xì)參數(shù)
品牌世向型號(hào)AP2N10
種類絕緣柵型導(dǎo)電方式耗盡型
溝道類型N溝道可測(cè)氣體其他
加工定制否產(chǎn)地深圳

產(chǎn)品詳情

Green Device Available

Super Low Gate Charge?Excellent Cdv/dt effect decline

Advanced high cell density Trenchtechnology


TheAP2N10 is the high cell density trenchedN-ch MOSFETs, which provides excellent RDSONand efficiency for most of the small powerswitching and load switch applications.Themeet the RoHS and Green Productrequirement with full function reliability approved.

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