產(chǎn)品詳情
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
陳?。?! 18.06.05.03.85.3
FOXBORO 2A8916 DIAPHRAGM TRANSMITTER
Foxboro 2A8916 Diaphragme Transmetteur en Bo?te
福博羅843DP-H2I1SS-CM 0~75KPa
FOXBORO 模塊 P0903ZE
INVENSYS P0400VR / P0400VR
INVENSYS 3C8-C3D / 3C8C3D
FOXBORO 530076TX
Foxboro I/A Series DM400YR REV-0E fBM 15 Input/Output Expander
SRD991-CDNS7EA4NR-V01 Foxboro 閥門(mén)定位器
FOXBORO FBM04 模塊 P0400YE FBM4#L
FOXBORO DM400YP FBM13 輸入擴(kuò)展器