英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9

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北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司

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  • 所在地區(qū):北京 昌平區(qū)
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詳細(xì)參數(shù)
品牌INFINEON型號(hào)FZ2400R17HE4P-B9
用途前置(輸入級(jí))封裝外形螺絲型
材料ALGaAS鋁鎵砷相數(shù)三相
控制方式脈沖寬度調(diào)制(PWM)主電路形式單端式
頻率中頻加工定制
導(dǎo)電溝道N溝道導(dǎo)電方式增強(qiáng)型
極間電容0.3開(kāi)啟電壓15
夾斷電壓-15最大漏極電流0.3
低頻噪聲系數(shù)0.1最大散熱功率0.85
產(chǎn)品認(rèn)證UL產(chǎn)地德國(guó)

產(chǎn)品詳情

英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9

產(chǎn)品詳細(xì)信息
Infineon FZ1500R33HL3_S2單開(kāi)關(guān) IGBT 模塊配有 TRENCHSTOP ? IGBT3和發(fā)射器控制的 3 二極管。此模塊具有高功率密度和 AlSiC 基板,用于提高熱循環(huán)能力。
VCES 為 3300 V
IC 標(biāo)稱值為 1500 A
ICRM 為 3000 A
它可保持高電流密度

產(chǎn)品特征描述:

  1. 提高工作溫度Tvj op
  2. 低開(kāi)關(guān)損耗
  3. 低 VCEsat
  4. Tvj op = 150°C
  5. 4 kV 交流 1 分鐘絕緣
  6. 封裝的 CTI > 400
  7. 高爬電距離和電氣間隙
  8. 銅基板
  9. UL 認(rèn)證

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

  • 高功率密度
  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

第4代IGBT芯片結(jié)構(gòu)從平面柵結(jié)構(gòu)發(fā)展為溝槽柵結(jié)構(gòu)。第5代IGBT芯片在溝槽柵IGBT的基礎(chǔ)上增加了電荷存儲(chǔ)層,也即CSTBT?結(jié)構(gòu),改善了關(guān)斷損耗和集電極發(fā)射極飽和壓降的折衷關(guān)系,

降低功率損耗。在此基礎(chǔ)上,第6代和第7代IGBT芯片不斷優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu),減薄晶圓厚度,損耗得到進(jìn)一步的降低。


IGBT
IGBT是什么?
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對(duì)比
MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9
優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9
特點(diǎn):

擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。
IGBT的典型應(yīng)用
電動(dòng)機(jī)
不間斷電源
太陽(yáng)能面板安裝
電焊機(jī)
電源轉(zhuǎn)換器與反相器
電感充電器
電磁爐

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售西門(mén)子SIEMENS

6SL3912、6SL3983、6SB2071、6SL3955、6SL3995、避雷器、互感器、電容、晶閘管、IGBT、驅(qū)動(dòng)板
中壓變頻備件器、電源、操作面板、隔離開(kāi)關(guān)、風(fēng)機(jī)及其他系列;GH180羅賓康A(chǔ)1A/ASE((電路板、控制板、模塊)、LDZ(功率單元、模塊、互感器)等
變頻器等備件 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
產(chǎn)品備件;
6SE70變頻器:6SE70驅(qū)動(dòng)/功率/接口板、6SY7000電容、6SY7010晶閘管
SIEMENS 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
M440/M430變頻器及備件;
低壓傳動(dòng) 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9
S120變頻器:IGD A5E控制板﹔6RA直流調(diào)速器:6RA80、6RX、6RY17/18等備件。
工業(yè)通訊及 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
A5EO8混合電纜;LDS備件A5E002/003等系列;
分析儀 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
電源產(chǎn)品
6EP19、6EP13、A5E30947477、A5E31006890、6EP1536-3AA00等系列;
低壓電器
3TC4、3TH4、3RA6、3UG4、3RP2、3RS1、3RN2、3RQ、3RB等系列;
6BK、6DD、6DL、6DP及西門(mén)子各類系統(tǒng)軟件等備件;
其他類
ABB變頻器配件 晶閘管可控硅 傳感器 電容 IGBT IGCT 流互感器(ES2000、ESM2000)、

3300V IGBT模塊型號(hào):

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FZ2400R17HE4P-B9
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D

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