產(chǎn)品詳情
N溝道類型IRF3205STRLPBF絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
數(shù)據(jù)列表
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IRF3205(S,L)PbF
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標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1
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包裝
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剪切帶(CT)
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零件狀態(tài)
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在售
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類別
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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
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產(chǎn)品族
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晶體管 - FET,MOSFET - 單
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系列
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HEXFET
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規(guī)格
FET 類型
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N 溝道
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技術(shù)
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MOSFET(金屬氧化物)
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漏源電壓(Vdss)
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55V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
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110A(Tc)
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驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
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10V
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不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值)
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8 毫歐 @ 62A,10V
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不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
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4V @ 250μA
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不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值)
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146nC @ 10V
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Vgs(最大值)
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±20V
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不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
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3247pF @ 25V
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FET 功能
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-
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功率耗散(最大值)
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200W(Tc)
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工作溫度
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-55°C ~ 175°C(TJ)
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安裝類型
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表面貼裝
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供應(yīng)商器件封裝
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D2PAK
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封裝/外殼
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TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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