潔凈室溫濕度氣流速度的控制要點昆明凈化工程

潔凈室溫濕度氣流速度的控制要點昆明凈化工程

潔凈室的主要功能是為生活和生產(chǎn)提供健康的環(huán)境，并創(chuàng)造滿足健康指標的環(huán)境，如照明，溫度和濕度，噪音，氣流，壓力，靜電和微振動，以便相關(guān)服務(wù)和產(chǎn)品可以滿足要求。人們對健康環(huán)境的需求提供了良好可控的空間環(huán)境，從而有效提高了產(chǎn)品的合格率，全面提高和提高了相關(guān)服務(wù)的質(zhì)量。

因此，潔凈室中有許多因素需要控制。清潔溫度，濕度，氣壓和空氣流速的要點總結(jié)如下。

潔凈室內(nèi)的溫度和濕度控制
潔凈空間的溫度和濕度主要根據(jù)工藝要求確定，但在滿足工藝要求時應(yīng)考慮人體舒適度。隨著空氣潔凈度要求的提高，有一個趨勢是該過程對溫度和濕度有更嚴格的要求。

稍后將列舉凈化項目的具體過程的溫度要求，但作為一般原則，隨著加工精度變得越來越精細，對溫度波動范圍的要求越來越小。例如，在用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，要求玻璃和作為掩模材料的硅晶片之間的熱膨脹系數(shù)的差異越來越小。直徑100um的硅片上升1度，線性膨脹0.24um，因此必須具有±0.1度的恒定溫度，濕度值一般較低，因為人們在出汗后qianqian2018會受到污染，尤其是對于害怕鈉的半導(dǎo)體車間，該車間不應(yīng)超過25度。

過度的濕度會產(chǎn)生更多問題。當(dāng)相對濕度超過55℃時，冷凝水管壁上會形成冷凝水。如果它發(fā)生在精密設(shè)備或電路中，將導(dǎo)致各種事故。當(dāng)相對濕度為50℃時容易生銹。此外，當(dāng)濕度太高時，附著在硅晶片表面的灰塵被空氣中的水分子化學(xué)吸附在表面上，難以去除。相對濕度越高，去除越困難，但是當(dāng)相對濕度低于30℃時，由于靜電力，顆粒也容易吸附到表面，并且大量半導(dǎo)體器件易于破裂。晶圓生產(chǎn)的最佳溫度范圍是35-45％？疭疭

潔凈室內(nèi)的氣壓調(diào)節(jié)
對于大多數(shù)潔凈空間，為了防止外部污染的侵入，必須保持內(nèi)部壓力（靜壓）高于外部壓力（靜壓）。壓差的維持一般應(yīng)符合以下原則：
（1）潔凈空間的壓力高于非潔凈空間的壓力。
（2）清潔度高的空間的壓力高于清潔度低的空間的壓力。
（3）潔凈室之間的門應(yīng)打開一個高清潔度的房間。

壓差的維持取決于新鮮空氣的量。這個新的空氣量必須補償在該壓力差下從間隙泄漏的空氣量。因此，壓力差的物理意義是當(dāng)空氣量泄漏（或穿透）通過潔凈室中的各個間隙時的阻力。

在潔凈室中調(diào)節(jié)氣流速度
這里討論的氣流速度是指潔凈室中的氣流速度，并且在討論特定設(shè)備時解釋其他潔凈空間中的氣流速度。

對于湍流潔凈室，主要原因是通過空氣的稀釋效應(yīng)來降低室內(nèi)污染程度。因此，主要使用換氣次數(shù)的概念代替速度的概念，但室內(nèi)空氣流速也有以下要求;

（1）供氣口出口處的氣流速度不宜過大。與空調(diào)房相比，速度衰減更快，擴散角更大。
（2）通過水平面吹入的氣流速度（例如，側(cè)面送出時的再循環(huán)速度）不應(yīng)太大，以防止表面顆粒返回氣流并造成再次污染。該速度通常不適合以0.2m / s的速度干燥。

對于平行流潔凈室（通常稱為層流潔凈室），橫截面上的速度是一個非常重要的指標，因為活塞被氣流擠壓，所以橫截面上的速度是一個非常重要的指標。在過去，參考美國20gB標準，使用0.45。女士。但人們也明白，如此大的速度所需的通風(fēng)量非常大，為了節(jié)省能源，它也在探索降低一速的速度的可行性。