單元熔斷器A5E39487345

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詳細參數(shù)
品牌其他型號A5E39487345
產(chǎn)品認證其他防護等級其他
產(chǎn)品等級其他執(zhí)行質(zhì)量標準其他
加工定制否是否進口是
顏色其他產(chǎn)地其他

產(chǎn)品詳情

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。

陳?。。?nbsp;18.06.05.03.85.3

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