全新原裝英飛凌IGBT可控平板硅模塊FF200R12KS4晶閘管整流橋功率模塊 庫存充足

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昂斯慕新能源

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詳細(xì)參數(shù)
品牌INFINEON型號FF200R12KS4
用途變頻換流封裝外形螺絲型
材料IGBT絕緣柵比極相數(shù)多相
控制方式其他主電路形式其他
頻率變頻加工定制
導(dǎo)電溝道其他導(dǎo)電方式增強型
極間電容Standard開啟電壓Standard
夾斷電壓Standard最大漏極電流Standard
低頻噪聲系數(shù)Standard最大散熱功率Standard
產(chǎn)品認(rèn)證Standard產(chǎn)地Germany

產(chǎn)品詳情

IGBT的作用

IGBT是一種功率晶體管,運用此種晶體設(shè)計UPS,早已成為電源的核心器件,可有效提升產(chǎn)品效能,具有易于驅(qū)動,控制簡單,開關(guān)頻率高,電源品質(zhì)好、效率高、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)點。同時又具備導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大,損耗小等技術(shù)優(yōu)勢。

IGBT主要用于軌道交通、航空航天、新能源、智能電網(wǎng)、智能家電高壓變頻器等領(lǐng)域。用于變頻器逆變和其他逆變電路時將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關(guān)斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時候存在很小的電阻,通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。

IGBT選型四個基本要求

1、安全工作區(qū)

在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時候的保護(hù)。這個是開通和關(guān)斷時候的波形,這個是相關(guān)的開通和關(guān)斷時候的定義。我們做設(shè)計時結(jié)溫的要求,比如長期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi),做到這個保證的前提是需要把這個模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來。這樣結(jié)合這個參數(shù)以后,結(jié)合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來計算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫,是否滿足安全結(jié)溫的需求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功率,時間比較短,它可能不是一個長期的工作點,可能突然增加,這個時候就涉及到另外一個指標(biāo),動態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性,就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小,這個壽命才長。

3、封裝要求

封裝要求主要體現(xiàn)在外部封裝材料上面,在結(jié)構(gòu)上面,其實也會和封裝相關(guān),因為設(shè)計的時候會布局和結(jié)構(gòu)的問題,不同的設(shè)計它的差異性很大。

4、可靠性要求

可靠性問題,剛才說到結(jié)溫波動,其中最擔(dān)心就是結(jié)溫波動以后,會影響到這個綁定線和硅片之間的焊接,時間久了,這兩種材料本身之間的熱抗系數(shù)都有差異,所以在結(jié)溫波動情況下,長時間下來,如果工藝不好的話,就會出現(xiàn)裂痕甚至斷裂,這樣就會影響保護(hù)壓降,進(jìn)一步導(dǎo)致ICBT失效。第二個就是熱循環(huán),主要體現(xiàn)在硅片和DCB這個材料之間,他們之間的差異性。如果失效了以后,就分層了,材料與材料之間特性不一樣,就變成這樣情況的東西,這個失效很明顯。

IGBT如何選型

1、IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開關(guān)工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù) IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1200V電壓等級的IGBT。

2IGBT額定電流的選擇

30kW變頻器為例,負(fù)載電流約為79A,由于負(fù)載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內(nèi),承受1.5倍的過流,擇最大負(fù)載電流約為119A,建議選擇150A電流等級的IGBT。

3、IGBT開關(guān)參數(shù)的選擇

變頻器的開關(guān)頻率一般小于10kHZ,而在實際工作的過程中,IGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大,建議選擇低通態(tài)型IGBT。

影響IGBT可靠性因素

1)柵電壓

IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅(qū)動電壓值為15~187,用到20V,而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關(guān)系,在設(shè)計IGBT驅(qū)動電路時,參考IGBTDatasheet中的額定Rg值,設(shè)計合適驅(qū)動參數(shù),保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也越小。

2)Miller效應(yīng)

為了降低Miller效應(yīng)的影響,在IGBT柵驅(qū)動電路中采用改進(jìn)措施:(1)開通和關(guān)斷采用不同柵電阻 RgONRg,off,確保IGBT的有效開通和關(guān)斷;(2)柵源間加電容c,對Miller效應(yīng)產(chǎn)生的電壓進(jìn)行能量泄放;(3)關(guān)斷時加負(fù)柵壓。在實際設(shè)計中,采用三者合理組合,對改進(jìn)Mille r效應(yīng)的效果更佳。

IGBT使用注意事項

(1)操作過程中要佩戴防靜電手環(huán);

(2)盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;

(3)IGBT模塊驅(qū)動端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線;

(4)在焊接作業(yè)時,設(shè)備容易引起靜電壓的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請先將設(shè)備處于良好的接地狀態(tài)下。

IGBT如何保管

1、一般保存IGBT模塊的場所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5~35℃,常濕的規(guī)定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區(qū),需要加濕機加濕。

2、盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。

3、在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。

4、IGBT模塊在未投入生產(chǎn)時不要裸露放置,防止端子氧化情況的發(fā)生。

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