可控硅西門康SKKT57/16E雙向可控硅

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蘇州銀邦電子科技有限公司

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詳細參數(shù)
品牌西門康型號詳詢
用途調頻封裝外形其他
材料相數(shù)其他
控制方式其他主電路形式其他
頻率高頻加工定制
導電溝道其他導電方式其他
產品認證3C產地德國

產品詳情

蘇州銀邦電子技有限公司:

  代理功率半導體產品及配套器件,IGBT以及配套驅動網上供應商。公司憑借多年的從業(yè)經驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽,在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象,同時與多家電力電子企業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關系,也是眾多電子廠商(富士、三菱、英飛凌、西門康,艾塞斯,尼爾,ABB,西瑪,三社、宏微等)的誠信代理商。通過多年的實戰(zhàn)經驗,公司積累了堅實的功率半導體應用知識,為電力拖動、風力發(fā)電、電焊機、電力機車等行業(yè)提供完善的解決方案,為客戶提供技術支持! 代理品牌:

  1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產品;

  2、富士、三菱、英飛凌、西門康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產品;

  3、CONCEPT、IDC驅動片及驅動板;

  4、巴斯曼(BUSSMANN),西門子,日之出等品牌熔斷器、底座、熔芯等;

可控硅整流器是一種以晶閘管(電力電子功率器件)為基礎,以智能數(shù)字控制電路為的電源功率控制電器。具有效率高、無機械噪聲和磨損、響應速度快、體積小、重量輕等諸多優(yōu)點。“NX70系列晶閘管整流器”通過對電壓、電流和功率的控制,從而實現(xiàn)精密控溫。并且憑借其先進的數(shù)字控制算法,優(yōu)化了電能使用效率。對節(jié)約電能起了重要作用。

  1.整流元件(晶閘管)

  簡單地說:整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調的單方向的直流電流。其實現(xiàn)條件主要是依靠整流管,晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多,如:可關斷晶閘管GTO,逆導晶閘管,雙向晶閘管,整流模塊,功率模塊IGBT,SIT,MOSFET等等,這里只探討晶閘管。

  晶閘管又名可控硅,通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件,由于它效率高,控制特性好,壽命長,體積小等優(yōu)點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門獨立的學科。“晶閘管交流技術”。 晶閘管發(fā)展到今天,在工藝上已經非常成熟,品質更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展。目前國內晶閘管額定電流可達5000A,國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。

  晶閘管的應用:

  一、可控整流

  如同二極管整流一樣,可以把交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實現(xiàn)交流——可變直流

  二、交流調壓與調功

  利用晶閘管的開關特性代替老式的接觸調壓器、感應調壓器和飽和電抗器調壓。為了消除晶閘管交流調壓產生的高次諧波,出現(xiàn)了一種過零觸發(fā),實現(xiàn)負載交流功率的無級調節(jié)即晶閘管調功器。交流——可變交流。

  三、逆變與變頻

  直流輸電:將三相高壓交流整流為高壓直流,由高壓直流遠距離輸送以減少損耗,增加電力網的穩(wěn)定,然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流。直流——交流

  中頻加熱和交流電動機的變頻調速、串激調速等變頻,交流——頻率可變交流

  四、斬波調壓(脈沖調壓)

  斬波調壓是直流——可變直流之間的變換,用在城市電車、電氣機車、電瓶搬運車、鏟車(叉車)、電氣汽車等,高頻電源用于電火花加工。

  五、無觸點功率靜態(tài)開關(固態(tài)開關)

  作為功率開關元件,代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合

  晶閘管導通條件:

  晶閘管加上正向陽極電壓后,門極加上適當正向門極電壓,使晶閘管導通過程稱為觸發(fā)。晶閘管一旦觸發(fā)導通后,門極就對它失去控制作用,通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可,稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導通,但無法使其關斷。要使導通的晶閘管恢復阻斷,可降低陽極電壓,或增大負載電阻,使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流(IH)(當門極斷開時,晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導通所需的陽極電流叫維持電流),電流會突然降到零,之后再提高電壓或減小負載電阻,電流不會再增大,說明晶閘管已恢復阻斷。

  根據(jù)晶閘管陽極伏安特性,可以總結出:

  1.門極斷開時,晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時,會使晶閘管導通,稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。

  2.晶閘管加上正向陽極電壓后,還必須加上觸發(fā)電壓,并產生足夠的觸發(fā)電流,才能使晶閘管從阻斷轉為導通。觸發(fā)電流不夠時,管子不會導通,但此時正向漏電流隨著增大而顯著增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關斷和導通兩個狀態(tài),沒有中間狀態(tài),具有雙穩(wěn)開關特性。是一種理想的無觸點功率開關元件。

  3.晶閘管一旦觸發(fā)導通,門極完全失去控制作用。要關斷晶閘管,必須使陽極電流《維持電流,對于電阻負載,只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷,通常在管子陽極電壓互降為零后,加上一定時間的反向電壓。

  晶閘管主要特性參數(shù)

  1.正反向重復峰值電壓——額定電壓(VDRM 、 VRRM取其小者)

  2.額定通態(tài)平均電流IT(AV)——額定電流(正弦半波平均值)

  3.門極觸發(fā)電流IGT,門極觸發(fā)電壓UGT, (受溫度變化)

  4.通態(tài)平均電壓UT(AV)即管壓降

  5.維持電流IH與掣住電流IL

  6.開通與關斷時間

  晶閘管的選擇:

  晶閘管的過載能力差,根據(jù)實際電流還要乘以1.5~3倍,即電流裕量。通常按平均電流IT(AV)選取,額定電流的有效值ITe(即均方根值)為平均電流的1.57倍。

  波形系數(shù)Kf=Ite/IT(AV)=1.57

  額定電壓應取實際工作時的可能電壓2~3倍,即電壓裕量。

  同時還要加上必要的保護措施。

  門極觸發(fā)電流:幾十個mA~幾百mA,離開這個范圍可能誤觸發(fā)或難觸發(fā)

  門極觸發(fā)電壓:3V左右

  臺面有凹臺和凸臺之分,散熱器與此有關

  2.主電路型式及多相整流

  一、單相

  1. 單相半波可控整流電路

  2. 單相全波可控整流電路(雙半波)

  3. 單相半控橋式可控整流電路

  4. 單相橋式可控整流電路

  二、三相

  1. 三相半波可控整流電路

  2. 三相橋式全控整流電路

  3. 三相橋式半控整流電路

  4. 三相全控橋式同相逆并聯(lián)整流電路

  5. 雙反星形帶平衡電抗器可控整流電路

  6. 雙反星形帶平衡電抗器全電路同相逆并聯(lián)可控整流Δ/Y┻Y+ Y┻Y

  三、多相整流

  多相整流可以大幅降低高次諧波電流,減少對電網的污染。

  不論是三相橋式還是雙反星形電路都可以組成多相整流。如12、24、36、48脈波,即在一個交流周波中直流脈動次數(shù)。一般來說,24脈波以上變壓器結構相對較復雜,整變閥側出線銅排較多,這樣帶來了一些其它困難。大容量機組可以用多臺整流機組,通過移相相位差及并聯(lián)運行來實現(xiàn)多相整流。

  3.保護

  可控硅本身在選擇時就已準備了很大的電流電壓裕量。為了使整流器可靠的工作,還必須加上各種保護。過流,限流,過壓,快熔斷,元件損壞,水壓異常,水溫高,缺相,欠支路,橋臂過熱,防雷擊,控制電路過流過壓失控等;整變輕重瓦斯,油溫異常。

 ?。?)晶閘管關斷過電壓(換流過電壓、空穴積蓄效應過電壓)及保護

  晶閘管從導通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產生過電壓。由于晶閘管在導通期間,載流子充滿元件內部,在關斷過程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時,元件內部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時反向電流減小即diG/dt極大,產生的感應電勢很大,這個電勢與電源串聯(lián),反向加在已恢復阻斷的元件上,可導致晶閘管反向擊穿。這就是關斷過電壓(換相過電壓)。數(shù)值可達工作電壓的5~6倍。保護措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。

 ?。?)交流側過電壓及其保護

  由于交流側電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程,會產生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級之間存在分布電容,初級高壓經電容耦合到次級,出現(xiàn)瞬時過電壓。措施:在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當電容,就可以顯著減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負載切斷時,因電源回路電感產生感應電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時,初級拉閘,因變壓器激磁電流的突變,在次級感生出很高的瞬時電壓,這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上。交流電網遭雷擊或電網侵入干擾過電壓,即偶發(fā)性浪涌電壓,都必須加阻容吸收路進行保護。

  (3)直流側過電壓及保護

  當負載斷開時或快熔斷時,儲存在變壓器中的磁場能量會產生過電壓,顯然在交流側阻容吸收保護電路可以抑制這種過電壓,但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大,還不能完全消除。措施:能常采用壓敏吸收進行保護。

 ?。?)過電流保護

  一般加快速熔斷器進行保護,實際上它不能保護可控硅,而是保護變壓器線圈。

 ?。?)電壓、電流上升率的限制

  4.均流與晶閘管選擇

  均流不好,很容易燒壞元件。為了解決均流問題,過去加均流電抗器,噪聲很大,效果也不好,一只一只進行對比,擰螺絲松緊,很盲目,效果差,噪音大,耗能。我們采用的辦法是:用計算機程序軟件進行動態(tài)參數(shù)篩選匹配、編號,裝配時按其號碼順序裝配,很間單。每一只元件上都刻有字,以便下更換時參考。這樣能使均流系數(shù)可達到0.85以上。為了減少并聯(lián),選用大元件。這樣可以進一步提高均流度,并減小損耗,因為每一只元件都存在一個 壓降, 這也是整流器的主要損耗。

  5.觸發(fā)控制電路

  目前,可控硅觸發(fā)電路有很多:模擬IC集成觸發(fā)電路,其中有國產IC KJ004(KJ009); 進口IC有TCA785 ,787電路;數(shù)字觸發(fā)(一種邏輯芯片)模擬控制,可同步鎖相;單片機觸發(fā)控制電路也越來越廣泛應用,都可PI調節(jié)。都能滿足可控硅的觸發(fā)要求。

 

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