產(chǎn)品詳情
Hot swap,PCIE to Mini PCIE,PCIE濾波器, PCIE不斷電保護(hù)卡, PCIE延伸卡,PCIE保護(hù),PCIE測(cè)試
No limit to the length of calble, 具有熱插拔不斷電保護(hù)功能，接線長(zhǎng)度不受限,可接2-3m HDMI線，附數(shù)據(jù)完整性報(bào)告(Transition Signal Eye)
屏蔽箱隔離度測(cè)試方法介紹：
1、檢測(cè)屏蔽隔離度設(shè)備：網(wǎng)絡(luò)分析儀、信號(hào)發(fā)生器、頻譜分析儀、偶極天線、喇叭天線、屏蔽箱。
由于產(chǎn)能的要求，通常射頻測(cè)試工藝由多個(gè)相同的測(cè)試站并行運(yùn)行。某個(gè)或某些測(cè)試工位的通過(guò)率偏低;產(chǎn)出降低就會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)線瓶頸、生產(chǎn)成本劇增，而究其原因，大致可分為： 產(chǎn)品設(shè)計(jì)或物料原因、測(cè)試的問(wèn)題(誤測(cè)問(wèn)題)、射頻干擾等環(huán)境因素、測(cè)試的不確定問(wèn)題。
電磁干擾/EMI是整個(gè)電子領(lǐng)域必須面臨和克服的一個(gè)問(wèn)題，一般在無(wú)線通訊產(chǎn)品比如：手機(jī)、無(wú)線網(wǎng)卡、無(wú)線路由器、無(wú)線耳機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)、wi-fi、wimax、數(shù)據(jù)卡、對(duì)講機(jī)、RFID等等無(wú)線通訊類設(shè)備和無(wú)線通訊類模塊等在進(jìn)行板測(cè)、終測(cè)過(guò)程中，都是通過(guò)使用射頻測(cè)試屏蔽箱來(lái)改善測(cè)試環(huán)境的。
2、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、屏蔽概念：指模擬干擾源置于屏蔽箱外時(shí)，屏蔽箱置放前后的空間某點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度、磁場(chǎng)強(qiáng)度或功率之比再取對(duì)數(shù)(lgp1/p2)，用dB表示。
如果要標(biāo)1500V隔離屏蔽，則1500V測(cè)試時(shí)輻射、屏蔽、絕緣電阻>300K，
如果要標(biāo)3000V隔離屏蔽，則3000V測(cè)試時(shí)輻射、屏蔽、絕緣電阻>600K屏蔽箱隔離度測(cè)試方法介紹：
1、檢測(cè)屏蔽隔離度設(shè)備：網(wǎng)絡(luò)分析儀、信號(hào)發(fā)生器、頻譜分析儀、偶極天線、喇叭天線、屏蔽箱。
由于產(chǎn)能的要求，通常射頻測(cè)試工藝由多個(gè)相同的測(cè)試站并行運(yùn)行。某個(gè)或某些測(cè)試工位的通過(guò)率偏低;產(chǎn)出降低就會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)線瓶頸、生產(chǎn)成本劇增，而究其原因，大致可分為： 產(chǎn)品設(shè)計(jì)或物料原因、測(cè)試的問(wèn)題(誤測(cè)問(wèn)題)、射頻干擾等環(huán)境因素、測(cè)試的不確定問(wèn)題。
電磁干擾/EMI是整個(gè)電子領(lǐng)域必須面臨和克服的一個(gè)問(wèn)題，一般在無(wú)線通訊產(chǎn)品比如：手機(jī)、無(wú)線網(wǎng)卡、無(wú)線路由器、無(wú)線耳機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)、wi-fi、wimax、數(shù)據(jù)卡、對(duì)講機(jī)、RFID等等無(wú)線通訊類設(shè)備和無(wú)線通訊類模塊等在進(jìn)行板測(cè)、終測(cè)過(guò)程中，都是通過(guò)使用射頻測(cè)試屏蔽箱來(lái)改善測(cè)試環(huán)境的。
2、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、屏蔽概念：指模擬干擾源置于屏蔽箱外時(shí)，屏蔽箱置放前后的空間某點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度、磁場(chǎng)強(qiáng)度或功率之比再取對(duì)數(shù)(lgp1/p2)，用dB表示。
如果要標(biāo)1500V隔離屏蔽，則1500V測(cè)試時(shí)輻射、屏蔽、絕緣電阻>300K，
如果要標(biāo)3000V隔離屏蔽，則3000V測(cè)試時(shí)輻射、屏蔽、絕緣電阻>600K
屏蔽室或屏蔽暗室的屏蔽效能測(cè)試或性能測(cè)試是安裝的最后階段，這也可能是最重要的階段。不幸的是，測(cè)試過(guò)程被認(rèn)為是麻煩的或在某種程度上被認(rèn)為是不可思義,事實(shí)上，屏蔽室的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是一致的。
主要的區(qū)別在于測(cè)試所用的設(shè)備不同。
事實(shí)上，屏蔽效能測(cè)試很簡(jiǎn)單，并與MIL-STD-220也就是插入損耗測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是一致的。主要的區(qū)別在于測(cè)試所用的設(shè)備不同。
供應(yīng)深圳東莞wifi6信號(hào)測(cè)試屏蔽箱隔離箱隔音箱實(shí)驗(yàn)室手機(jī)藍(lán)牙PCIE網(wǎng)卡測(cè)試方案定制
屏蔽房屏蔽效能測(cè)試基本同于電子測(cè)試設(shè)備的校準(zhǔn)。與測(cè)試設(shè)備一樣，當(dāng)小型屏蔽房的屏蔽效能降低時(shí)就需要對(duì)其進(jìn)行校準(zhǔn)。當(dāng)校準(zhǔn)屏蔽房或測(cè)定屏蔽暗室的屏蔽效能時(shí)，要使用輻射測(cè)試技術(shù)。所幸的是美國(guó)軍方和安全部門已建立了相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)描述了特定頻率和測(cè)試場(chǎng)地條件下的測(cè)試方法、設(shè)備和測(cè)試過(guò)程。這些測(cè)試過(guò)程經(jīng)過(guò)微小的調(diào)整，就能應(yīng)用于任何屏蔽房的安裝，并滿足用戶要求。
測(cè)試屏蔽效能最經(jīng)常用到的兩個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)或測(cè)試程序是MIL-STD-285和NSA65-6。這些文件描述了對(duì)設(shè)備配置和測(cè)試場(chǎng)地的要求。每個(gè)程序中也規(guī)定了測(cè)試頻率和衰減量。
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