產(chǎn)品詳情
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| TTElectronics/Semelab D2001UK 高性能硅DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管(RFFET) 品牌 | TTElectronics/Semelab | ||
| 批號(hào) | 24 | ||
| 封裝 | BULK | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 最小包裝量 | 100 | ||
| 工作頻率 | 50MHz到1GHz | ||
| 最大工作電壓 | 65V | ||
| 最大工作電流 | 1A | ||
| 最大功率 | 2.5W | ||
| 增益 | 最小增益為13dB | ||
| 數(shù)量 | 50000 | ||
| 可售賣(mài)地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | D2001UK | ||
由于電子元器件價(jià)格浮動(dòng)太大，展示價(jià)格不能作為最后成交價(jià)，請(qǐng)與業(yè)務(wù)詢(xún)價(jià)為準(zhǔn)。
TEL： 平先生：15323706628
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描述
D2001UK是Semelab plc生產(chǎn)的一款金層化多功能硅DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管(RF FET)，專(zhuān)為2.5W功率范圍內(nèi)的應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于28V以下的電壓，并且能夠處理高達(dá)1GHz的頻率。這款產(chǎn)品以其高增益和低噪聲特性，非常適合用于VHF/UHF通信領(lǐng)域。
特性
- 簡(jiǎn)化的放大器設(shè)計(jì)：D2001UK的設(shè)計(jì)允許簡(jiǎn)化放大器的電路設(shè)計(jì)，減少組件數(shù)量和復(fù)雜性。
- 寬帶應(yīng)用：適用于50MHz到1GHz的VHF/UHF通信。
- 低Crss：低交叉電容有助于減少信號(hào)失真，提高放大器的性能。
- 簡(jiǎn)單的偏置電路：簡(jiǎn)化的偏置設(shè)計(jì)使得產(chǎn)品更容易集成到現(xiàn)有電路中。
- 低噪聲：低噪聲特性使其非常適合高保真度的通信系統(tǒng)。
- 高增益：至少13dB的最小增益，確保信號(hào)的有效放大。
- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)：產(chǎn)品符合歐盟關(guān)于限制有害物質(zhì)使用的法規(guī)。
應(yīng)用
D2001UK的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，主要包括：
- VHF/UHF通信：在50MHz到1GHz的頻率范圍內(nèi)，適用于各種通信系統(tǒng)。
- 金屬柵射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管：采用先進(jìn)的金屬柵技術(shù)，提供更好的性能和可靠性。
- TetraFET技術(shù)：利用TetraFET技術(shù)，提供更高的功率處理能力和更優(yōu)的熱性能。
電氣特性
- 最大漏極電流：1A
- 漏源擊穿電壓：65V
- 柵源擊穿電壓：±20V
- 存儲(chǔ)溫度：-65°C至150°C
- 最大工作結(jié)溫：200°C
機(jī)械數(shù)據(jù)
- 封裝類(lèi)型：金層化多功能硅DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管
- 引腳配置：包括源極、漏極和柵極等
- 尺寸：詳細(xì)尺寸數(shù)據(jù)在產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)中有詳細(xì)描述
危險(xiǎn)物質(zhì)警告
D2001UK的陶瓷部分含有氧化鈹，氧化鈹粉塵具有高毒性。在處理和安裝時(shí)必須小心，避免損壞該區(qū)域。
總結(jié)
D2001UK是一款高性能的射頻場(chǎng)效應(yīng)管，適用于需要高增益、寬帶寬和低噪聲的應(yīng)用。其簡(jiǎn)化的設(shè)計(jì)和符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的特性使其成為通信和相關(guān)領(lǐng)域的理想選擇。
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