產(chǎn)品詳情
如果元件阻值不同，串聯(lián)時電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中，易導(dǎo)致某一根的電阻快速增加，壽命變短。
硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。
建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。
特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時必須并聯(lián)。
三相接線時建議使用開放三角形接線。
實踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。
負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長快， 元件的壽命短。
因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷，密度，爐內(nèi)氣氛，溫度與元件老化速度成正比，與元件的壽命成反比。
碳化硅元件在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽命較長。
這是因為元件在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長時間使用使二氧化硅皮膜增加，阻值也隨之增加。
二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮。
因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。
因此爐溫經(jīng)常降至室溫時會急劇增加電阻，導(dǎo)致元件使用壽命縮短。
硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。
建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。
特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時必須并聯(lián)。
三相接線時建議使用開放三角形接線。
實踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。
負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長快， 元件的壽命短。
因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷，密度，爐內(nèi)氣氛，溫度與元件老化速度成正比，與元件的壽命成反比。
碳化硅元件在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽命較長。
這是因為元件在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長時間使用使二氧化硅皮膜增加，阻值也隨之增加。
二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮。
因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。
因此爐溫經(jīng)常降至室溫時會急劇增加電阻，導(dǎo)致元件使用壽命縮短。
