產(chǎn)品詳情
QCYQ-JS9000B 礦石專用光譜分析儀主要應(yīng)用于采礦作業(yè)（勘探、開采、品位控制），工業(yè)礦物，生產(chǎn)水泥和建筑材料的原材料，耐火材料，陶瓷和玻璃，地球化學(xué)學(xué)術(shù)研究，考古等。線性動(dòng)態(tài)范圍，可實(shí)現(xiàn)在水泥、礦物、采礦、金屬、玻璃和陶瓷行業(yè)進(jìn)行精度的過程控制和質(zhì)量控制。具有全新真空光路系統(tǒng)和分辨率技術(shù)的新一代fast sdd檢測(cè)器，對(duì)輕、中、重元素和常見氧化物（Na2o、Mgo、Al2o3、Sio2、P2o5、So、k2o、Cao、Tio2、Cr2o、Mno、Fe2o、Zno和sro等）都可達(dá)到分析效果。
分析性能，使其可以輕松完成對(duì)以下礦種的測(cè)試：
鐵礦(磁鐵礦、赤鐵礦、鈦鐵礦、菱鐵礦等)
銅礦(黃銅礦、赤銅礦、孔雀石等) 鉻礦(鉻鐵尖晶石、鉻鐵礦、鉻鉍礦等)
鉬礦(輝鉬礦、銅鉬礦、鎢鉬礦等) 鎢礦(白鎢礦、黑鎢礦、錫鎢礦等)
鉭礦(鉭鐵礦、鈮鐵礦、燒綠石等) 鉛鋅礦(方鉛礦、閃鋅礦、白鉛礦等)
鎳礦(紅土鎳礦、硫化銅鎳礦等) 鋁土礦 其它礦類
產(chǎn)品特點(diǎn)
1.小型化、高性能、高速度、易操作，高靈敏度、高精度分析
2.可同時(shí)分析40種元素
3.采用多準(zhǔn)直器多濾光片和扣背景技術(shù)
- Peltier電制冷 FAST SDD硅漂移檢測(cè)器提供出色的短期重復(fù)性和長(zhǎng)期再現(xiàn)性以及出色的元素峰分辨率
5.超高記數(shù)數(shù)字多道電路設(shè)計(jì)，雙真空抽速機(jī)構(gòu)，真空度自動(dòng)穩(wěn)定系統(tǒng)
6.標(biāo)配基本參數(shù)法軟件，多任務(wù)，多窗口操作
7.薄膜濾光片技術(shù)，有效提高輕元素檢出限
先進(jìn)制成Peltier電制冷 FAST SDD硅漂移檢測(cè)器
真空光路配備薄膜濾光片技術(shù)，提高輕元素檢出限
可同時(shí)分析40種元素
可分析固體，液體，粉末和泥漿
原裝進(jìn)口X光管管芯提供可靠卓越樣品激發(fā)性能
無損檢測(cè)，快速分析（1-2分鐘出結(jié)果）
無需化學(xué)試劑，無耗材，更環(huán)保，更高效
儀器參數(shù)
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儀器外觀尺寸: 565mm*385mm*415mm |
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超大樣品腔：465mm*330mm*110mm |
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半封閉樣品腔（抽真空時(shí)）：Φ150mm×高75mm |
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儀器重量: 48Kg |
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元素分析范圍：Na11-U92鈉到鈾 |
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可分析含量范圍：1ppm- 99.99% |
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探測(cè)器：AmpTek 超高分辨率電制冷Fast SDD硅漂移檢測(cè)器 |
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探測(cè)器分辨率：122 eV FWHM at 5.9 keV |
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處理器類型：全數(shù)字化DP-5分析器 |
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譜總通道數(shù)：4096道 |
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X光管：高功率50瓦光管（原裝進(jìn)口管芯），冷卻方式：硅脂冷卻 |
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光管窗口材料：鈹窗 |
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準(zhǔn)直器：多達(dá)8種選擇，最小0.2mm |
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濾光片：7種濾光片的自由選擇和切換 |
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高壓發(fā)生裝置：原裝美國(guó)高壓，電壓輸出：0-50kV；輸出電流：0-1mA |
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高壓參數(shù)：最小5kv可控調(diào)節(jié)，自帶電壓過載保護(hù)，輸出精度：0.01% |
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樣品觀察系統(tǒng)：500萬像素高清CCD攝像頭 |
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電壓：220ACV 50/60HZ |
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環(huán)境溫度：-10 °C 到35 °C |
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儀器配置
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標(biāo)準(zhǔn)配置 |
可選配置 |
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純Ag初始化標(biāo)樣 |
磨樣機(jī) |
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真空泵 |
壓片機(jī) |
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礦石專用樣品杯 |
烘干箱 |
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USB數(shù)據(jù)線 |
全自動(dòng)熔樣機(jī) |
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電源線 |
電子秤 |
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測(cè)試薄膜 |
礦石標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) |
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儀器出廠和標(biāo)定報(bào)告 |
交流凈化穩(wěn)壓電源 |
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保修卡 |
150目篩子 |
全新設(shè)計(jì)的XTEST分析軟件
軟件內(nèi)核包括基本參數(shù)法（FP），經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法（EC）,可輕松分析各類樣品。
光譜處理參數(shù)包括用于定義背景連續(xù)性，堆積峰和峰總和，平滑度以及測(cè)量到的峰背景光譜的數(shù)量
對(duì)吸收以及厚膜和薄膜二次熒光的完全校正，即所有基質(zhì)效應(yīng)，增強(qiáng)和吸收。
譜顯示：峰定性，KLM標(biāo)記，譜重疊比較，可同時(shí)顯示多個(gè)光譜圖
可以通過積分峰的凈面積或使用測(cè)得的參考光峰響應(yīng)，將光峰強(qiáng)度建模為高斯函數(shù)。
可以使用純基本參數(shù)方法，具有分散比的基本參數(shù)（對(duì)于包含大量低Z材料的樣品）或通過簡(jiǎn)單的最小二乘擬合進(jìn)行定量分析。
基本參數(shù)分析可以基于單個(gè)多元素標(biāo)準(zhǔn)，多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)或沒有標(biāo)準(zhǔn)的樣品。
