產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品概述：
一種基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控陣子陣。包括：天線子陣、收發(fā)電路板和金屬殼體散熱器。天線子陣包含4×4寬帶輻射單元。收發(fā)電路板包含四片硅基TR芯片、功分合成網(wǎng)絡(luò)以及分布式數(shù)字控制電路，每片硅基TR芯片有四路收發(fā)通道，能夠完成接收信號放大和相位幅度調(diào)整，并且能夠?qū)l(fā)射信號移相放大輸出。采用瓦片式結(jié)構(gòu)，天線與收發(fā)電路層疊設(shè)計，通過垂直互聯(lián)結(jié)構(gòu)連接形成整體，系統(tǒng)可靠性高。且硅基芯片批量成本低，有效降低了整機成本。使用高集成度硅基TR芯片，有效解決了瓦片式兩維相控陣天線橫向空間受限的問題，通過瓦片層疊結(jié)構(gòu)將天線射頻一體化集成，形成可自由拼接的標準化有源子陣。
產(chǎn)品特點：
采用標準化子陣模塊，硬件可重構(gòu)，軟件可定義，研制了一種具有低成本、高集成度、模塊化、散熱能力強、可靠性高且具有快速維修能力的兩維相控陣雷達射頻前端。包括：天線罩、采用硅基TR芯片的有源相控陣子陣（16通道）、散熱殼體、功分網(wǎng)絡(luò)、波控電源板、和差網(wǎng)絡(luò)、頻綜接收機和散熱風機。
產(chǎn)品原理：
采用瓦片式結(jié)構(gòu)，基于多子陣模塊化擴展設(shè)計實現(xiàn)整陣。使用硅基TR芯片有效解決了瓦片式相控陣天線橫向空間受限的問題，有源相控陣子陣及殼體的散熱設(shè)計為解決散熱難題提出了一個有效的方案。
子陣模塊技術(shù)指標：
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名稱 |
技術(shù)指標 |
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工作頻段 |
X波段 |
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極化方式 |
線極化 /圓極化 |
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波束掃描范圍 |
方位面：±45°，俯仰面：±45° |
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增益 |
法向 |
>16dB |
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描范圍內(nèi)下降 |
<3.5dB |
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zuida占空比 |
≤30% |
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半功率波束帶寬 |
方位面：23°±2.3° 俯仰角：23°±2.3° |
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移相執(zhí)行時間 |
≤100ns |
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移相器位數(shù) |
6位 |
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衰減器位數(shù) |
6位 |
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單通道功率 |
≥0.5W |
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單通道噪聲系數(shù) |
≤3dB |
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名稱 |
技術(shù)指標 |
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工作頻段 |
X頻段 |
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極化方式 |
垂直線極化 |
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中頻 |
210MHz |
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瞬時帶寬 |
30MHz |
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波束掃描范圍 |
方位面：±45°，俯仰面：±45° |
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陣列規(guī)模（TR通道數(shù)目） |
24×24 |
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zuida占空比 |
30% |
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半功率波束帶寬 |
接收 |
方位：4.6°±0.5°，俯仰：4.6°±0.4° |
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發(fā)射 |
方位：3.8°±0.4°，俯仰：3.8°±0.4° |
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接收副瓣電平 |
≤-20dB |
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接收差波束零深 |
方位：≤-25dB |
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俯仰：≤-25dB |
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G/T |
≥2dB/K |
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EIRP |
≥83dBm |
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功耗 |
≤600W |
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目前子陣工作頻率X波段，天線極化為垂直線極ji化。在主體方案不變的情況下，可以根據(jù)總體需要，在8~12GHz頻帶范圍內(nèi)調(diào)整，天線極化也可以按照水平線極化或者圓極化設(shè)計。
