雪崩能量測(cè)試儀

ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。ITC55100可以用來(lái)對(duì)功率MOSFET和IGBT的耐用性測(cè)試。 它還能測(cè)試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測(cè)量IGBT的正向和反向偏置。

品牌： 華科智源
名稱： 雪崩能量測(cè)試儀
型號(hào)： ITC55100
用途： 用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試

產(chǎn)品詳情

ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。ITC55100可以用來(lái)對(duì)功率MOSFET和IGBT的耐用性測(cè)試。 它還能測(cè)試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測(cè)量IGBT的正向和反向偏置。

測(cè)試模式
單脈沖松開電感的開關(guān)（UIS）
單脈沖雪崩應(yīng)力（EAS）
重復(fù)性雪崩能量（EAR）
重復(fù)脈沖故障（RPF）

執(zhí)行的測(cè)試
連續(xù)性測(cè)試裝置的插座和/或接觸
DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測(cè)試
- 前，后的雪崩
功能設(shè)備測(cè)試
雪崩測(cè)試

特點(diǎn)
單路/雙路設(shè)備測(cè)試
N溝道，P溝道，混合
全固態(tài)切換 - 無(wú)需繼電器
更快的測(cè)試
電流范圍：0.1A至200A，0.1A步驟
雪崩電壓至2500V
觸摸屏程序進(jìn)入/控制
波形捕獲/顯示
內(nèi)部測(cè)試程序存儲(chǔ)（20個(gè)文件）
高速電感充電，減少了測(cè)試時(shí)間
可編程漏電測(cè)試電壓
前置/后置雪崩泄漏測(cè)試
雪崩折疊測(cè)試
多功能測(cè)試處理器控制
15硬件排序箱
改進(jìn)的電壓/電流精度
通過(guò)Flash下載軟件更新
高速RS-485 PTNet接口
控制參數(shù)輸入密碼
使用所有ITC電感負(fù)載箱
接口與ITC55MUX4 ITC55 RSF
內(nèi)置自我測(cè)試

安全特性
測(cè)試時(shí)間
過(guò)量的泄漏關(guān)閉
外部安全鎖定
兩個(gè)并聯(lián)的手動(dòng)啟動(dòng)按鈕
不斷監(jiān)測(cè)設(shè)備的電流。 如果電流超過(guò)或未能達(dá)到測(cè)試終止
計(jì)算時(shí)間的可編程水平。