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ENR-TBP-0.5 過電壓保護器 07-12提供報價
SiC FET是SiC JFET和Si-MOSFET的共源共柵結(jié)構(gòu) 另一個重要參數(shù)是在開關(guān)中任何體二極管效應(yīng)的反向恢復(fù)能量，它在硬開關(guān)條件下會造成顯著耗損 SiC MOSFET的一些值很低，但是增益會被抵消，因為二極管前向壓降高，如果因“換向”而在開關(guān)“死區(qū)”時間內(nèi)導(dǎo)電，這會造成耗損增加
PCBA模塊一覽，白線畫出了內(nèi)部無線充電線圈位置，為WPC-A13線圈排列 線圈外圍PCB走線為電容傳感器，用于檢測手機是否放入，自動開啟無線充電 PCBA模塊背面為鋁合金外殼，用于散熱
撬開卡扣固定的側(cè)面蓋板，即可輕松的拆開外殼，取出內(nèi)部的PCBA模塊 內(nèi)部PCBA模塊一覽，長條形契合外殼設(shè)計 USB-C線纜為排線設(shè)計，更加纖薄，便于使用
但是在網(wǎng)關(guān) LNS 中還是 OTAA 入網(wǎng)時的 FCnt （舊值），兩邊的 FCnt 對不上，接著數(shù)據(jù)就會被丟棄，就會導(dǎo)致節(jié)點的上行數(shù)據(jù)發(fā)送失敗，需要一直得等到 FCnt 遞增超過之前的大小
