產(chǎn)品詳情
PX800G-A14/R 電力儀表 07-11提供報(bào)價(jià)這就意味著600V的IGBT，必須選擇600V的自舉二極管 6. 當(dāng)選擇驅(qū)動(dòng)電源Vcc電壓時(shí)，必須考慮驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電壓降及自舉二極管和自舉電阻的壓降，以防止IGBT柵極電壓不會(huì)太低而導(dǎo)致開通損耗增加 更進(jìn)一步，所確定的電壓必須減去下管IGBT的飽和壓降，這樣導(dǎo)致上下管IGBT在不同的正向柵極電壓下開通，因此Vcc應(yīng)當(dāng)保證上管有足夠的柵極電壓，同時(shí)保證下管的柵極電壓不會(huì)變的太高
茂睿芯MK2697G具有輸出過壓、過功率、VCC過壓、輸入過壓保護(hù)、同步整流管短路保護(hù)等保護(hù)功能，適用于USB PD充電器和高功率密度電源應(yīng)用 氮化鎵功率芯片采用英諾賽科INN650DA04，耐壓650V，導(dǎo)阻480mOmega
近些年，硅片，特別是大硅片國產(chǎn)化進(jìn)程在加速，以滬硅產(chǎn)業(yè)、中環(huán)股份、立昂微等為代表的廠商已逐步突破12英寸硅片的工藝技術(shù)和量產(chǎn)瓶頸 據(jù)ICMtia統(tǒng)計(jì)，2020年，中國大陸12英寸硅片供應(yīng)能力為798萬片年，2021年，供應(yīng)能力提升#1144.5萬片年（95萬片月）
使用一個(gè)數(shù)字可編程直流電源提供直流電壓，施加在電阻 R1 與待測二極管 D1 串聯(lián)電路上 利用 R1 上的測量電壓 可以獲得穩(wěn)壓二極管流過的電流 這樣就可以獲得穩(wěn)壓二極管電壓電流之間的關(guān)系曲線 ▲ 圖1.1.1 測量穩(wěn)壓二極管的電流-電壓特性
PX800G-A14/R 電力儀表 07-11提供報(bào)價(jià)事務(wù)的小大平均延遲 帶寬 事務(wù)的持續(xù)時(shí)間 計(jì)數(shù)和計(jì)時(shí) 這些數(shù)據(jù)被在專用CPU上執(zhí)行的分析軟件使用，以確定性能、安全和保障方面的問題 III.基于硬件的Soc實(shí)時(shí)監(jiān)測解決方案本節(jié)提供了一個(gè)可演示的基于硬件的SoC FPGA監(jiān)控平臺，它能夠模擬一系列ECU
