產(chǎn)品詳情
垂直合并將額外的電子（即，多于一個(gè)像素的電子）移動(dòng)到水平移位寄存器中，而水平合并將額外的電子移動(dòng)到輸出節(jié)點(diǎn)中 如果合并引入的電荷量超過(guò)滿(mǎn)阱容量，則會(huì)發(fā)生飽和并且圖像質(zhì)量下降 實(shí)施 CCD 合并讓我們簡(jiǎn)單看一下一些時(shí)序圖，它們說(shuō)明了控制信號(hào)和分級(jí)之間的關(guān)系
反過(guò)來(lái)，這又有助于減少5G基站信號(hào)塔上安裝的天線(xiàn)陣列系統(tǒng)的重量，因此可以降低安裝成本 另外，氮化鎵還能在各種毫米波頻率上，輕松支持高吞吐量和寬帶寬 對(duì)于高功率基站應(yīng)用，相比于鍺硅（SiGe）或硅（Si）等其他功率放大器技術(shù)，在相同EIRP目標(biāo)值下，氮化鎵技術(shù)的總功率耗散更低，如下圖所示
指針必須存儲(chǔ)在下列區(qū)域之一，才能進(jìn)行存儲(chǔ)器間接尋址：M - 位存儲(chǔ)器L - 本地?cái)?shù)據(jù)D - 數(shù)據(jù)塊(DB或DI)STAT 靜態(tài)數(shù)據(jù)(不是用于具有多重實(shí)例能力的塊的靜態(tài)數(shù)據(jù))注意如果要尋址使用存儲(chǔ)器間接尋址的字節(jié)、字或雙字，請(qǐng)確保指針的位號(hào)為雙字格式0
我將簡(jiǎn)要比較每一類(lèi)計(jì)算機(jī)視覺(jué)，尤其關(guān)注在本地而不是依賴(lài)基于云的資源收集和處理數(shù)據(jù)，并根據(jù)數(shù)據(jù)采取行動(dòng)的嵌入式系統(tǒng) 什么是計(jì)算機(jī)視覺(jué)？20 世紀(jì) 60 年代，計(jì)算機(jī)視覺(jué)已經(jīng)能夠執(zhí)行從頁(yè)面上讀取文本（光學(xué)字符識(shí)別）和識(shí)別圓形或矩形等形狀這類(lèi)任務(wù)
在PCB中，時(shí)長(zhǎng)見(jiàn)到一些阻值為0歐姆的電阻，電阻顧名思義，是阻礙電流流動(dòng)的器件，那他為什么還要用0歐姆的呢？1.跳線(xiàn)在PCB多數(shù)還是采用雙面板，打過(guò)孔布線(xiàn)的時(shí)候，其實(shí)0歐姆電阻并沒(méi)有太多的用途，但是在當(dāng)一些公司想要節(jié)省成本或是其他原因而采用單層電路板或是其他原因而采用單層電路板，碰到不能布線(xiàn)的地方會(huì)使用飛線(xiàn)或過(guò)孔線(xiàn)來(lái)連接電路被分割開(kāi)的兩個(gè)部分
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