產(chǎn)品詳情
DJR-1A-A2-P2-03 電力儀表 崇仁抽水蓄能技術(shù)經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)明顯
按照GBT 7260.3-2003不間斷電源設(shè)備(UPS)第3部分:確定性能的方法和試驗(yàn)要求中資料性附錄基準(zhǔn)非線性負(fù)載的規(guī)定,以1000VA負(fù)載為例,RL=121Ω,C1210μf
Chiplet的利用方式,如上圖所示,大體上可以分為三種: 方案1:設(shè)計(jì)規(guī)模不變,優(yōu)化單DIE面積和良率等,可以百分比的提升性能 方案2:?jiǎn)蜠IE設(shè)計(jì)規(guī)模不變,多DIE集成 這樣,隨著面積的增加,性能可以線性增長(zhǎng)
解釋了開(kāi)關(guān)損耗的主要影響因素,并確定了影響器件行為和使用的重要因素,這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開(kāi)關(guān)性能 1 引言碳化硅(SiC)MOSFET支持功率電子電路以超快的開(kāi)關(guān)速度和遠(yuǎn)超100Vns和10Ans的電壓和電流擺率下工作
加入美光工業(yè)商數(shù)計(jì)劃使我們能更密切地合作,幫助我們推出可承受極端工業(yè)環(huán)境的解決方案 ”工業(yè)商數(shù)(IQ)合作伙伴計(jì)劃還促進(jìn)了工業(yè)供應(yīng)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié)的協(xié)作 保持緊密協(xié)調(diào)并確保硬件兼容非常重要,因?yàn)樗薪M件都需要無(wú)縫協(xié)作幾十年,在工業(yè)環(huán)境中的設(shè)備必須具有長(zhǎng)期可靠性