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艾默生ITA-01k00AS1102C00內(nèi)置電池UPS不間斷電源1KVA900W在線式
雖然柵氧化層介電擊穿電壓的典型值大約為80V,但為了限制故障情況下的電流和確保長(zhǎng)期使用的可靠性,應(yīng)將柵極電壓限制在20V之內(nèi),其佳值一般取15V左右。
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集電極連續(xù)電流Ic和峰值電流ICM集電極流過(guò)的大連續(xù)電流Ic即為IGBT的額定電流,其表征GBT的電流容量.Ic主要受結(jié)溫的限制。為了避免擎住效應(yīng)的發(fā)生,規(guī)定了IGBT的大集電極電流峰值ICM。由于IGBT大多工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),因而IcM更具有實(shí)際意義,只要不超過(guò)額定結(jié)溫(150℃)
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IGBT可以工作在比連續(xù)電流額定值大的峰值電流Icm范圍內(nèi),通常峰值電流為額定電流的2倍左右。與MOSFET 相同,參數(shù)表中給出的Ic為T(mén)c=25℃或Tc=100℃時(shí)的值,在選擇IGBT的型號(hào)時(shí)應(yīng)根據(jù)實(shí)際工作情況考慮裕量。安全工作區(qū)IGBT具有較寬的安全工作區(qū)。因IGBT常用于開(kāi)關(guān)工作狀態(tài),它的安全工作區(qū)分為正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA ,Forward Biased Safe Operating Area )和反向偏置安全工作區(qū)(RBSOA ,Reverse Biased Safe Operating Area )圖3-14(a)、(b)分別為IGBT的正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA )和反向偏置安全工作區(qū)(RBSOA )正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA )是IGBT在導(dǎo)通工作狀態(tài)的參數(shù)極限范圍。FBSOA 由導(dǎo)寬的大集電極電流IcM、大集射極間電壓UcEs和大功耗PcM三條邊界線包圍而成。濟(jì)南
FBSOA 的大小與IGBT的導(dǎo)通時(shí)間長(zhǎng)短有關(guān)。導(dǎo)通時(shí)間越短,大功耗耐量越高。(a)示出了直流(DC)和脈寬(PW)分別為100ps、10s三種情況的FBSOA ,其中直流的