產(chǎn)品詳情
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開啟電壓Uarh為轉(zhuǎn)移特性與橫坐標(biāo)交點處的電壓值，是IGBT導(dǎo)適的射極電壓，以的光隨溫度升高面下降，溫度每升高℃，。高，值下降EmV左右在25℃時，1GBT的開啟電壓一般為2～6v③通態(tài)壓降UcE ( on ) IGBT的通態(tài)壓降UcEtcm ) [參見圖3-10 ( b ) ]為Ucgm ) = Vn + Ugs +IpRm式中Vn -J結(jié)的正向壓降，約0.7～1V；Ukx——為PNP晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻Rs上的壓降；Rm——MOSFET的溝道電阻。通態(tài)壓降Ucron )決定了通態(tài)損耗，通常IGBT的Ucgtm為2～3V4柵射極電壓Uurs柵極電壓是由柵氧化層的厚度和特性所限制的。雖然柵氧化層介電擊穿電壓的典型值大約為80V .但為了限制故障情況下的電流和確保長期使用的可靠性。
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應(yīng)將柵極電壓限制在20V之內(nèi)，其值一般取15V左右。5集電極連續(xù)電流Ic和峰值電流Icm集電極流過的連續(xù)電流Ic即為IGBT的額定電流，其表征IGBT的電流容量。Ic主要受結(jié)溫的限制。為了避免擎住效應(yīng)的發(fā)生，規(guī)定了1GBT的集電極電流峰值Icw。由于IGBT大多工作在開關(guān)狀態(tài)，因而Iex更具有實際意義，只要不超過額定結(jié)溫( 150℃) .IGBT可以工作在比連續(xù)電流額定值大的峰值電流Icv范圍內(nèi)，通常峰值電流為額定電流的2倍左右。與MOSFET相同，參數(shù)表中給出的Ic為Tc = 25℃或Tc = 100℃時的值，在選擇IGBT的型號時應(yīng)根據(jù)實際工作情況考慮裕量。（5）安全工作區(qū)IGBT具有較寬的安全工作區(qū)。因IGBT常用于開關(guān)工作狀態(tài)，它的安全工作區(qū)分為正向偏置安全工作區(qū)( FBSOA，F(xiàn)orward Biased Safe Operating Area )和反向偏置安全工作區(qū)( RBSOA , Reverse Biased Safe Operating Area )。圖3-14 ( a )、( b )分別為IGBT的正向偏置安全工作區(qū)( FBSOA )和反向偏置安全工作區(qū)( RBSOA )。
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正向偏置安全工作區(qū)( FBSOA )是IGBT在導(dǎo)通工作狀態(tài)的參數(shù)極限范圍。FBSOA由導(dǎo)寬的集電極電流IcM、集射極間電壓Uces和功耗Pou三條邊界線包圍而成。FBSOA的大小與IGBT的導(dǎo)通時間長短有關(guān)。導(dǎo)通時間越短，功耗耐量越高。圖3-14 ( a )示出了直流( DC )和脈寬( PW )分別為100gs、10μs三種情況的FBSOA，其中直流的FBSOA為最小，而脈寬為10gs的FBSOA。反向偏置安全工作區(qū)( RBSOA )是IGBT在關(guān)斷工作狀態(tài)下的參數(shù)極限范圍。RBSOA由集電極電流Icw、集射極間電壓Ucgs和電壓上升率du / dr三條極限邊界線所圍而成。如前所述，過高的dauce / d會使1GBT產(chǎn)生動態(tài)擎住效應(yīng)。duce / dr越大，RBSOA越小。絕緣柵極雙極晶體管( IGBT )的集電極電流Icx是根據(jù)避免動態(tài)擎住而確定的，與
